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| 化学气相沉积技术制备TiB2涂层研究 | |
| 作者姓名： | 吴护林 张隆平 易同斌 贾代金 陈大军 |
| 摘 要： | 利用TiCl4-BCl3-H2—Ar反应体系，用化学气相沉积法（CVD）在石墨基体上沉积了TiB2涂层，研究了CVD工艺如沉积温度、气体流量、滞留时间等参数对涂层的物相组成、微晶尺寸、沉积速率、沉积形貌的影响。结果表明，沉积的涂层物相由TiB2组成，随着温度的升高，微晶尺寸增大；当沉积温度为900-950℃、气体总流量... |
| 关 键 词： | TIB2 化学气相沉积 物相组成 沉积速率 涂层形貌 |