Berechnung des unbeweglichen Anteiles der Raumladung im Halbleiter einer MOS-Struktur

Under the assumption of Boltzmann statistics the immobile part of the semiconductor space charge in a MOS structure is calculated. The result of this calculation is compared with the value, which is obtained from a theory of Schottky. This theory yields a square root relation between the immobile space charge and the external device voltage. It is shown that Schottky's theory represents a good approximation to the exact relation. Values are given for the diffusion voltage belonging to the depletion region dependent on substrate doping, external voltage and inversion edge concentration.

Résumé

En assumant les statistiques Boltzmann, on calcule la partie immobile de la charge d'espace du semiconducteur dans une structure MOS. Le résultat de ce calcul est comparé avec la valeur obtenue de la théorie de Schottky. Cette théorie fournit une relation à racine carrée entre la charge d'espace immobile et la tension extérieure du dispositif. On démontre que la théorie de Schottky représente une bonne approximation de la relation exacte. Des valeurs sont données pour la tension de diffusion appartenant à la région d'épuisement dépendant de la dope de la couche inférieure, de la tension extérieure et de la concentration de la borne d'inversion.