| 电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究 |
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| 引用本文： | 沈伟东,吴亚明,章岳光,刘旭,顾培夫.电子束蒸发玻璃薄膜中间层的阳极键合研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(2):143-147. |
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| 作者姓名： | 沈伟东 吴亚明 章岳光 刘旭 顾培夫 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法.调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了＞95%的键合面积.键合电压20 V,温度300℃～500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性.400℃,40V下键合了Si和SIMOX SOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础.
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| 关 键 词： | 微机电系统 阳极键合 玻璃薄膜 电子束蒸发 键合强度 电子束蒸发 玻璃薄膜 中间层 阳极键合 研究 Evaporation Films Glass Intermediate 制作 器件 MEMS 硅结构 介质层 减薄 基底 溶液 TMAH 硅片 SIMOX |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)02-143-05 |
| 修稿时间： | 2006年9月4日 |
Anodic Bonding of Intermediate Glass Films Grown by E-Beam Evaporation |
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| Shen Weidong,Wu Yaming,Zhang Yueguang,Liu Xu,Gu Peifu.Anodic Bonding of Intermediate Glass Films Grown by E-Beam Evaporation[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(2):143-147. |
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| Authors: | Shen Weidong Wu Yaming Zhang Yueguang Liu Xu Gu Peifu |
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