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| 双单量子阱材料的调制光谱研究 | |
| 引用本文： | 章灵军,沈学础,王太宏.双单量子阱材料的调制光谱研究[J].半导体学报,1993,14(11):676-680. |
| 作者姓名： | 章灵军 沈学础 王太宏 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，中国科学院物理研究所 上海 200083，上海 200083，北京 100080 |
| 摘 要： | 本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 量子阱材料 调制光谱 |
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