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| 3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管 | |
| 作者姓名： | 傅义珠 林川 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
| 摘 要： | 南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ，脉冲宽度３００μｓ，占空比１０％，输出功率大于５０Ｗ，功率增益大于７ｄＢ，效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为１００μｓ时输出功率大于６０Ｗ。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高，器件的高频功率优值（Ｐｏ·Ｒｏ）下降，微波寄生参量变得非常突出，信号损耗增大，造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制，硅功率器件一般工作于Ｓ波段以下。限制器件功率输出的另一重… |
| 关 键 词： | 硅功率晶体管 脉冲宽度 微波功率器件 晶体管 |
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