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β-Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究
引用本文:潘华勇,李树有,朱静,杜奎,王元明,贺连龙,叶恒强.β-Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究[J].电子显微学报,2000,19(5):699-703.
作者姓名:潘华勇  李树有  朱静  杜奎  王元明  贺连龙  叶恒强
作者单位:1. 清华大学材料科学工程学院电子显微实验室,北京,100084;中国科学院金属研究所固体原子像实验室,沈阳,110015;钢铁研究总院十三室,北京,100081
2. 清华大学材料科学工程学院电子显微实验室,北京,100084
3. 清华大学材料科学工程学院电子显微实验室,北京,100084;钢铁研究总院十三室,北京,100081
4. 中国科学院金属研究所固体原子像实验室,沈阳,110015
摘    要:本文采用HF-2000FEG电镜对Zhang等^「7」已经用HR-TEM高分辨技术研究的β-Ni3Nb相的几种单个平移畴界进行了相干电子微衍射研究,不但对已发现R1=「1/2,0,0」和R2=1/4「102」型平移畴界进行了微衍射分析,而且发现了R5=「1/4,1/2,0.81」型平移畴界。

关 键 词:相干电子微衍射  单个平移畴界  镍基合金  沉淀相
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