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| a-Si_(1-x)Nx:H 光电导的改善及其原由 | |
| 引用本文： | 吴宗焱,沈月华.a-Si_(1-x)Nx:H 光电导的改善及其原由[J].无机材料学报,1986(3). |
| 作者姓名： | 吴宗焱 沈月华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 (吴宗焱)，中国科学院上海硅酸盐研究所(沈月华) |
| 摘 要： | 氮的掺入能够改善 a-Si∶H 的光电导性。用 ESR 方法难以分析其原因。吸收系数的弱吸收段却能显示出氮造成 a-Si∶H 缺陷态密度的变小。当掺氮量 x(?)0.01时,a-Si_(1-x)N_x 之ημT 值呈最大,在 E_(?)下1.2eV 处缺陷态密度最低,约3.3×10~(15)/cm~3。过量地掺氮则导致缺陷态密度增加,光电导降低。 |
| 关 键 词： | a-Si_(1-x)N_x:H 光电导 缺陷态吸收 |
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