| 反应烧结碳化硅材料的高温氧化 |
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| 引用本文： | 吕振林,李世斌,高积强,金志浩,李贺军. 反应烧结碳化硅材料的高温氧化[J]. 中国有色金属学报, 2002, 12(Z1): 58-63 |
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| 作者姓名： | 吕振林 李世斌 高积强 金志浩 李贺军 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学,材料科学与工程学院,西安,710072
2. 西安交通大学,材料科学与工程学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 5 9772 0 13)，陕西省自然科学基金资助项目 ( 2 0 0 1C11) |
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| 摘 要： | 研究了反应烧结碳化硅材料 (RB SiC) 90 0℃的氧化过程以及制备参数和掺杂元素对氧化过程的影响。结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,除石油焦加入量较高的反应烧结碳化硅材料在氧化初期表现为质量损失外 ,其余均表现为质量增加 ,并且质量增加量与氧化时间遵循抛物线规律。掺杂Al和Ni元素可以提高碳化硅材料的高温抗氧化能力。氧化过程对反应烧结碳化硅材料的导电性能影响不大。对碳化硅材料的氧化机制及影响因素进行了分析和讨论。
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| 关 键 词： | 反应烧结碳化硅 高温氧化 掺杂 |
| 文章编号： | 1004-0609(2002)S1-0058-06 |
| 修稿时间： | 2001-11-27 |
High temperature oxidation of reaction-bonded silicon carbide |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reaction bonded SiC high temperature oxidation doping |
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