| 烧结温度对掺杂CZTSe靶材性能的影响 |
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| 引用本文： | 沈文兴,白平平,童培云,朱刘.烧结温度对掺杂CZTSe靶材性能的影响[J].材料研究与应用,2021,15(3):225-228. |
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| 作者姓名： | 沈文兴 白平平 童培云 朱刘 |
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| 作者单位： | 国家稀散金属工程技术研究中心,先导薄膜材料(广东)有限公司,广东清远 511517 |
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| 摘 要： | 采用真空烧结技术制备了RbF∶CuZnSnSe(Rb-CZTSe)的陶瓷靶材,当RbF掺杂量为0.4%(质量分数)时,研究了不同烧结温度对CZTSe陶瓷靶材微观结构、致密度、电阻率及断面形貌的影响.结果表明,当烧结温度在660℃下所制备的陶瓷靶材表现出最优的各项性能,其电阻率188 kΩ·cm和相对密度为94.68%.表明此方法所制备的Rb-CZTSe陶瓷靶材能更好的应用于工业生产.
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| 关 键 词： | 靶材 掺杂 烧结温度 |
The influence of sintering temperature on the properties of CZTSe target material with doping RbF |
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| SHEN Wenxing,BAI Pingping,TONG Peiyun,ZHU Liu.The influence of sintering temperature on the properties of CZTSe target material with doping RbF[J].Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals,2021,15(3):225-228. |
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| Authors: | SHEN Wenxing BAI Pingping TONG Peiyun ZHU Liu |
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