| 半导体纳米材料Zn(en)3 Se,ZnSe及其光学性能研究 |
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| 引用本文： | 李国强,陈日耀,郑曦,陈震.半导体纳米材料Zn(en)3 Se,ZnSe及其光学性能研究[J].功能材料,2005,36(9):1324-1327. |
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| 作者姓名： | 李国强 陈日耀 郑曦 陈震 |
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| 作者单位： | 福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007;福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007;福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007;福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007 |
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| 基金项目： | 福建省科技厅重点资助项目（02H0340）;福建省教育厅资助项目（JA02192.JA02189,JB021777） |
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| 摘 要： | 以有机溶剂热技术制备片状Zn（en）3Se（en为乙二胺）纳米材料，DTG、IR、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn^2＋通过配位键相结合；以制得的纳米Zn（en）3Se为母体，在氮气氛中煅烧至980℃，热分解制得棒状纳米ZnSe；以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构；以提拉法分别将Zn（en）3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上，制得纳米颗粒／ITO复合膜，并研究其光学特性。结果表明，Zn（en）3Se属立方晶系，呈片状结构；ZnSe属六方纤锌矿型，棒直径在40nm左右；可能的生长机理是乙二胺作为模板分子，首先嵌入到ZnSe无机结构框架中，接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒。PL分析表明Zn（en）3Se的荧光红移至448nm处。
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| 关 键 词： | 一维纳米材料 溶剂热法 金属硫族化合物 半导体 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)09-1324-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-27 |
| 修稿时间： | 2005-05-09 |
Studies of semiconductor nanomaterials Zn (en) 3 Se, ZnSe and their photo-properties |
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| LI Guo-qiang,CHEN Ri-yao,ZHENG Xi,CHEN Zhen.Studies of semiconductor nanomaterials Zn (en) 3 Se, ZnSe and their photo-properties[J].Journal of Functional Materials,2005,36(9):1324-1327. |
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| Authors: | LI Guo-qiang CHEN Ri-yao ZHENG Xi CHEN Zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | one-dimensional nano-material solvothermal method metal chalcogenides semiconductor photoluminescence |
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