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| MOSVLSI的新进展——参加1980年国际固体电路会议笔记 | |
| 作者姓名： | 童勤义 |
| 作者单位： | 南京工学院半导体集成电路研究室 |
| 摘 要： | 近年来,由于超精细加工技术和计算机辅助设计技术的发展,MOSLSI取得了长足的进展,出现了超大规模MOS集成电路MOSVLSI,使集电路高性能和低成本的特点更为突出。这些超精细加工技术主要包括:电子束制版,电子束直接光刻,投影光刻,全离子注入,全干法腐蚀,薄层介质和薄层外延,它使三维的(平面的及纵向的)超微细加工成为可能。最近5年中,NMOS已经从6u,1100(?)的栅减小到2μ, |
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