首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究
引用本文:李建伟,赵崇军,滕蛟,于广华. 利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究[J]. 功能材料, 2013, 44(13): 1852-1855
作者姓名:李建伟  赵崇军  滕蛟  于广华
作者单位:北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目
摘    要:NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比。制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降。电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长。

关 键 词:低频噪声  NiFeCr  种子层  退火  信噪比

Strongly suppressed 1/f noise and enhanced SNR in permalloy films using NiFeCr seeds layer
LI Jian-wei , ZHAO Chong-jun , TENG Jiao , YU Guang-hua. Strongly suppressed 1/f noise and enhanced SNR in permalloy films using NiFeCr seeds layer[J]. Journal of Functional Materials, 2013, 44(13): 1852-1855
Authors:LI Jian-wei    ZHAO Chong-jun    TENG Jiao    YU Guang-hua
Affiliation:(School of Materials Science and Engineering,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China)
Abstract:
Keywords:1/f noise  NiFeCr  seeds layer  annealing  SNR
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号