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Cu2O薄膜的制备与表征
引用本文:宁婕妤,李云白,刘邦武,夏洋,李超波.Cu2O薄膜的制备与表征[J].功能材料,2013,44(14):2056-2058,2064.
作者姓名:宁婕妤  李云白  刘邦武  夏洋  李超波
作者单位:1. 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044;中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029
2. 北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044
3. 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029
基金项目:国家自然科学基金资助项目,国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目,中国科学院知识创新工程重大资助项目
摘    要:以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜。讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征。结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7~5.9,沉积电位为1.1~1.3V。此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响。

关 键 词:Cu2O  薄膜  阴极电沉积  表征

Electrodeposition and characterization of Cu2O thin films
NING Jie-yu , LI Yun-bai , LIU Bang-wu , XIA Yang , LI Chao-bo.Electrodeposition and characterization of Cu2O thin films[J].Journal of Functional Materials,2013,44(14):2056-2058,2064.
Authors:NING Jie-yu  LI Yun-bai  LIU Bang-wu  XIA Yang  LI Chao-bo
Affiliation:1.Key Laboratory of Luminescence and Optical Information,Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology,BeijingJiaotong University,Beijing 100044,China; 2.Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)
Abstract:
Keywords:cuprous oxide  electrodeposition  thin film  characterization
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