| 具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备 |
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| 引用本文： | 王洪,吴跃峰,钟炯生,黄华茂. 具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备[J]. 光电子．激光, 2013, 0(10): 1906-1916 |
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| 作者姓名： | 王洪 吴跃峰 钟炯生 黄华茂 |
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| 作者单位： | 华南理工大学 理学院 广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640;华南理工大学 理学院 广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640;华南理工大学 理学院 广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640;华南理工大学 理学院 广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项基金(2011ZZ0017)、广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,1A081301004,2A080302003)和广州市重大科技专项(2010U1-D00221,1Y 5-00006)资助项目 , 吴跃峰, 钟炯生, 黄华茂 (华南理工大学 理学院广东省光电工程技术研究中心,广东 广州 510640) |
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| 摘 要： | 设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极 管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比, 在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基 本维持不变。对这两种HV-LED 芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温 4500K、 驱动 电流20mA下, 具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达 125. 6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000h后,光衰仅为2%。
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| 关 键 词： | 高压发光二极管(HV-LED) 侧面柱状结构 光提取效率 |
| 收稿时间： | 2013-03-19 |
Fabrication of high-voltage LED chips with lateral columnar structure |
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| Affiliation: | Engineering Research Center for Optoelectronics of Guangdong Province,School o f Science,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China;Engineering Research Center for Optoelectronics of Guangdong Province,School o f Science,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China;Engineering Research Center for Optoelectronics of Guangdong Province,School o f Science,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China;Engineering Research Center for Optoelectronics of Guangdong Province,School o f Science,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-voltage light emitting diode (HV-LED) lateral columnar structure lig ht extraction efficiency |
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