| 晶体管发射极电流集边效应理论的实验研究与射频功率晶体管版图系列化 |
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| 引用本文： | 杜行尧,石林初,吕文生,石一心,肖志红,吴敏,吴毅. 晶体管发射极电流集边效应理论的实验研究与射频功率晶体管版图系列化[J]. 微电子技术, 2001, 29(4): 11-15 |
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| 作者姓名： | 杜行尧 石林初 吕文生 石一心 肖志红 吴敏 吴毅 |
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| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:69776024) |
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| 摘 要： | 在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用[4]～[7]的基础上，研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分析，实现了射频功率晶体管版图的系列化设计和优化设计，在工业化大生产的实际应用中，收到了本课题研究的实际效益。
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| 关 键 词： | 功率晶体管 发射极 电流集边效应 射频功率 版图设计 |
| 文章编号： | 1008-0147(2001)04-11-05 |
| 修稿时间： | 2001-01-01 |
Study on the Edge-Crowding Effect of Emitter Current in a Transistor and Serial Layout for RF Power Transistors |
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| DU Xing yao,SHI Lin chu,LU Wen sheng,SHI Yi xin,XIAO Zhi hong,WU Min,WU Yi. Study on the Edge-Crowding Effect of Emitter Current in a Transistor and Serial Layout for RF Power Transistors[J]. Microelectronic Technology, 2001, 29(4): 11-15 |
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| Authors: | DU Xing yao SHI Lin chu LU Wen sheng SHI Yi xin XIAO Zhi hong WU Min WU Yi |
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| Abstract: | Based on the theory and its application of edge crowding effect of emitter current in a transistor,study on serial layout of RF transistors is developed.Comparison between theoretical and experimental results shows that serial layout for RF power transistors and their optimization is realized.The practical profits due to our research project are obtained in the industrial mass production. |
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| Keywords: | Transistor Edge crowding effect of emitter current RF power Power gain Serial layout |
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