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| 场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极) | |
| 引用本文： | 薩支唐,揭斌斌.场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)[J].半导体学报,2008,29(3). |
| 作者姓名： | 薩支唐 揭斌斌 |
| 基金项目： | CTSAH Associates(CTSA)资助项目 |
| 摘 要： | 场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,Y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs). |
| 关 键 词： | 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 并存电子和空穴表面和体积沟道和电流 表面势 两区短沟道理论 双栅不纯基理论 bipolar field-effect transistor theory MOS field-effect transistor simultaneous electron and hole surface and volume channels and currents surface potential two-section short-channel theory double-gate impure-base theory |
The Theory of Field-Effect Transistors:XI.The Bipolar Electrochemical Currents(1-2-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base) |
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| Sah Chih-Tang,Jie Binbin.The Theory of Field-Effect Transistors:XI.The Bipolar Electrochemical Currents(1-2-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(3). | |
| Authors: | Sah Chih-Tang Jie Binbin |
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