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| 用离子束辅助沉积对Si进行金属化 | |
| 引用本文： | 何建宏,曹育文.用离子束辅助沉积对Si进行金属化[J].电子工艺技术,1995(4):26-27,48. |
| 作者姓名： | 何建宏 曹育文 |
| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
| 摘 要： | 本文用ＩＢＡＤ－ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。 |
| 关 键 词： | 集成电路 硅 金属化 离子束辅助沉积 VLSI |
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