| 绝缘子气隙缺陷下的局部放电发展过程研究 |
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| 引用本文： | 董玉林,曾鹏,朱磊,韩忠晖,李天昊,刘朝阳.绝缘子气隙缺陷下的局部放电发展过程研究[J].宁夏电力,2024(3):44-50. |
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| 作者姓名： | 董玉林 曾鹏 朱磊 韩忠晖 李天昊 刘朝阳 |
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| 作者单位： | 国网长沙供电公司，湖南 长沙 410015;国网湖南省电力有限公司，湖南 长沙 410029 |
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| 摘 要： | 研究了气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)内部绝缘子气隙缺陷局部放电(partial discharge,PD)发展过程，分析了不同发展阶段的特高频(ultra high frequency,UHF)PD信号φ-u散点图和φ-n谱图变化规律，提出了9个特征参量。研究发现：正负半周放电次数、大小具有相同的变化规律，正负半周最大放电脉冲幅值、等值累积放电量和放电信号熵特征呈指数增长趋势，相邻放电脉冲平均时间间隔呈现近似指数衰减趋势。负半周相邻放电脉冲时间间隔总是大于正半周，并且两者差异性随着PD的发展逐渐缩小。相邻放电脉冲最大时间间隔随放电发展逐渐减小。最后，本文结合PD发展物理微观过程，分析了各特征量出现相关变化规律的物理机制。
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| 关 键 词： | 绝缘子气隙缺陷 放电发展过程 特征提取 变化规律 机理分析 |
| 收稿时间： | 2023/9/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2024/1/12 0:00:00 |
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