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大面积ZnO:Al窗口层的制备与研究
引用本文:尹振超,朱宁,乔在祥.大面积ZnO:Al窗口层的制备与研究[J].光电子.激光,2013(1):99-103.
作者姓名:尹振超  朱宁  乔在祥
作者单位:天津理工大学 电子信息工程学院,天津 300384;天津理工大学 电子信息工程学院,天津 300384;天津电源研究所 化学与物理电源 技术重点实验室,天津 300381
基金项目:国家高技术研究发展计划(2012AA050701)资助项目 (1.天津理工大学 电子信息工程学院,天津 300384; 2.天津电源研究所化学与物理电源 技术重点实验室,天津 300381)
摘    要:采用磁控溅射方法,制备了大面积(300mm×300mm)ZnO:Al薄膜作为CIGS太阳电池的窗口层。设计以电阻率和透过率测试值的标准差乘积作为衡量大面积低阻ZnO窗口层的均匀性标准,确定4mm/s作为衬底与靶材最合适的相对行走速度,并进一步研究工作气压和溅射功率对ZnO:Al薄膜结构、电学特性和光学特性的影响,实现在400~1 200nm波长范围内平均透过率大于85%,电阻率ρ约1.0×10-3Ω.cm。试验结果表明,改善的工艺条件能得到大面积内厚度均匀、光电特性良好的低阻ZnO窗口层。

关 键 词:磁控溅射  CIGS薄膜太阳电池  大面积ZnO:Al窗口层
收稿时间:2012/6/13 0:00:00
修稿时间:2012/8/27 0:00:00

Preparation and research of large area ZnO:Al window layer
YIN Zhen-chao,ZHU Ning and QIAO Zai-xiang.Preparation and research of large area ZnO:Al window layer[J].Journal of Optoelectronics·laser,2013(1):99-103.
Authors:YIN Zhen-chao  ZHU Ning and QIAO Zai-xiang
Affiliation:School of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technolog y,Tianjin 300384,China;School of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technolog y,Tianjin 300384,China;National Key Laboratory of Power Sources,Tianjin Inst itute of Power Sources,Tianjin 300381,China
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  CIGS thin film solar cell  large-area ZnO:Al window layer
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