| 采用石墨碳源沉积金刚石薄膜 |
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| 引用本文： | 王传新,汪建华,马志斌,满卫东,王升高,吴艳丽,陈章.采用石墨碳源沉积金刚石薄膜[J].武汉工程大学学报,2002,24(4). |
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| 作者姓名： | 王传新 汪建华 马志斌 满卫东 王升高 吴艳丽 陈章 |
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| 作者单位： | 1. 武汉化工学院材料科学与工程系,湖北,武汉,430073;中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031
2. 武汉化工学院材料科学与工程系,湖北,武汉,430073 |
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| 摘 要： | 采用固相石墨为碳源,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在Si(111)上沉积高质量的金刚石薄膜.研究了在气相碳源浓度处于不饱和状态时,沉积气压和石墨温度对生长速率的影响.利用SEM、XRD、红外光谱分析薄膜表面形貌和质量.结果表明高质量的金刚石薄膜可在H2激发而产生的封闭的等离子体气氛下合成,高的沉积气压和石墨温度会导致高的气相碳源浓度,从而有利于提高薄膜的生长速率,而低的气相碳源浓度有利于沉积薄膜的质量的提高.
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 生长速率 |
Preparation of diamond films from graphite |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MPCVD |
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