东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。