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| 低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用 | |
| 引用本文： | 曾莹,李瑞伟.低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用[J].微电子学,2002,32(6):449-452. |
| 作者姓名： | 曾莹 李瑞伟 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 摘 要： | 对LVTSCR(Low Voltage Triggered Silicon Controlled Rectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究.实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P-N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响.利用优化的LVTSCR结构,获得了6000V以上的ESD失效电压. |
| 关 键 词： | 静电保护 低压触发可控硅 深亚微米IC CMOS工艺 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0449-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月16 |
Application of Low-Voltage Triggered Silicon Controlled Rectifier in ESD Protection Circuits |
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| Abstract: | |
| Keywords: | ESD protection Low voltage triggered silicon controlled rectifier (LVTSCR) Deep sub-micron IC CMOS process |
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