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| 采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究 | |
| 作者姓名： | 黄宜平 李爱珍 蒋美萍 邹斯洵 李金华 竺士炀 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，江苏石油化工学院 |
| 摘 要： | 本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好． |
| 关 键 词： | 氧化硅 SOI CMOS 硅膜 结构 |
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