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直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜
引用本文:姜洪波,高濂,李景国.直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜[J].无机材料学报,2003,18(2):495-499.
作者姓名:姜洪波  高濂  李景国
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目(G1999064506)
摘    要:首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地的α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜。利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌。结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h。

关 键 词:直接氮化法  纳米晶TiN薄膜  TiO2薄膜
文章编号:1000-324X(2003)02-0495-05
收稿时间:2002-1-11
修稿时间:2002年1月11日

Preparation of Nanocrystalline TiN Film by Direct Nitridation of TiO2 Film
JIANG Hong-Bo,GAO Lian,LI Jing-Guo.Preparation of Nanocrystalline TiN Film by Direct Nitridation of TiO2 Film[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(2):495-499.
Authors:JIANG Hong-Bo  GAO Lian  LI Jing-Guo
Affiliation:StateKeyLabofHighPerformanceCeramicsandSuperfineMicrostructure;ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciencesShanghai200050;China
Abstract:
Keywords:direct nitridation  nanocrystalline TiN film  Ti0_2 film  
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