| 核辐射探测器用溴化铊材料的真空蒸馏提纯及其单晶特性研究 |
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| 引用本文： | 郑志平,蒙芳,权琳,王晶,龚树萍,周东祥. 核辐射探测器用溴化铊材料的真空蒸馏提纯及其单晶特性研究[J]. 武汉理工大学学报, 2011, 0(3): 1-5 |
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| 作者姓名： | 郑志平 蒙芳 权琳 王晶 龚树萍 周东祥 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系;材料成形与模具技术国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(1087504661076074); 高等学校博士学科点专项科研基金(200804871014); 中央高校基本科研业务费(2010ZD008) |
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| 摘 要： | 报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊(TlBr)单晶性能的影响。先以硝酸铊(TlNO3)和氢溴酸(HBr)为原料,采用化学共沉淀法合成了TlBr多晶粉体,然后采用真空蒸馏法(VD)在不同的温度(520~640℃)下对TlBr多晶粉体进行提纯,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响。接着选用纯度较高的TlBr多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径为8 mm的TlBr单晶。ICP-MS测试结果表明,真空蒸馏提纯后,TlBr多晶粉体杂质含量均减小一个数量级;单晶的X射线衍射(XRD)测试表明,生长出的TlBr单晶其主要生长方向为[110];晶体的电阻率提高1个数量级以上,达到109W.cm,光学特性也明显改善,适合于探测器的制备。
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| 关 键 词： | 溴化铊 真空蒸馏提纯 晶体生长 晶体性能 |
Vacuum Distillation Purification of TlBr Materials and Research on the Properties of TlBr Single Crystals for Room-temperature Radiation Detectors |
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| ZHENG Zhi-ping,MENG Fang,QUAN Lin,WANG Jing,GONG Shu-ping,ZHOU Dong-xiang. Vacuum Distillation Purification of TlBr Materials and Research on the Properties of TlBr Single Crystals for Room-temperature Radiation Detectors[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2011, 0(3): 1-5 |
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| Authors: | ZHENG Zhi-ping MENG Fang QUAN Lin WANG Jing GONG Shu-ping ZHOU Dong-xiang |
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| Affiliation: | ZHENG Zhi-ping1,MENG Fang1,QUAN Lin1,WANG Jing1,GONG Shu-ping1,ZHOU Dong-xiang1,2(1.Department of Electronic Science and Technology,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China,2.State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thallium bomide vacuum distillation crystal growth crystal performance |
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