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Si_3N_4添加CeO_2-Y_2O_3-Al_2O_3常压烧结
引用本文:铃木久男,斋藤肇,刘可栋.Si_3N_4添加CeO_2-Y_2O_3-Al_2O_3常压烧结[J].陶瓷研究与职业教育,1989(1).
作者姓名:铃木久男  斋藤肇  刘可栋
摘    要:一、绪言在烧制高温结构材料的Si_3N_4时,因添加适当的烧结助剂,所以在主晶相之间残存有玻璃相或其他晶相,并已知所残存的第二相对于烧结体的特性有很大的影响。为了解决这一问题,一般采用热压或HIP等特殊方法及减少助剂用量。柘植氏等人在Si_3N_4之中添加5wt%的Y_2O_3,于1700℃烧结之后,再在N_2气体中1750℃下热压,使其在主晶相间析出耐火度高的Si_3N_4·Y_2O_3晶体,

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