| 一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计 |
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| 引用本文： | 杨永豪. 一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计[J]. 电子科技, 2005, 0(12): 20-23 |
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| 作者姓名： | 杨永豪 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,IC设计中心,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压.基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃.
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| 关 键 词： | CMOS带隙基准 温度系数 低电压 PTAT电流 |
| 收稿时间： | 2005-08-29 |
| 修稿时间： | 2005-08-29 |
Analysis and Design of a CMOS Low Power Bandgap Reference |
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| Yang Yonghao. Analysis and Design of a CMOS Low Power Bandgap Reference[J]. Electronic Science and Technology, 2005, 0(12): 20-23 |
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| Authors: | Yang Yonghao |
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| Affiliation: | IC Design Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS band gap reference temperature coefficient low voltage PTAT current |
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