| SiC MESFET微波功率测试技术 |
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| 引用本文： | 王同祥,潘宏菽,李亮. SiC MESFET微波功率测试技术[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 239-241 |
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| 作者姓名： | 王同祥 潘宏菽 李亮 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.
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| 关 键 词： | 微波功率 测试 SiC MESFET 输出功率 SiC MESFET 微波功率 微波测试技术 Technology 功率增益 功率输出 工作频率 微波测试系统 GaAs 功率晶体管 双极 硅微波 结合 器件 材料研制 半导体 第三代 分析 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0239-03 |
| 修稿时间： | 2005-10-11 |
Microwave Power-Tested Technology of SiC MESFET |
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| Wang Tongxiang,Pan Hongshu,Li Liang. Microwave Power-Tested Technology of SiC MESFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 239-241 |
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| Authors: | Wang Tongxiang Pan Hongshu Li Liang |
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