32～40 GHz高耐功率PIN二极管限幅低噪声放大器MMIC

本文提出了一种32～40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide, GaAs) PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)。将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计，同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络，提高了限幅低噪声放大器的耐功率和小信号特性。为了降低放大器的噪声系数，提出了包含电感和PIN二极管的T型匹配单元，将多个匹配单元级联作为低噪声放大器的输入匹配网络。该限幅低噪声放大器MMIC采用0.15-μm PIN/pHEMT工艺制造。测试结果表明，该芯片可以承受最高为38 dBm的连续波30 min不损坏。在32～40 GHz频率范围内，电路的小信号增益和噪声系数分别为18±0.4 dB和2.5～2.8 dB,证明了该设计方法的有效性。在目前报道的限幅低噪声放大器MMIC中，该限幅低噪声放大器具有最高的工作频率，该电路可广泛的应用于高功率、高机动性的毫米波雷达系统中。