| 一种使用Capless LDO结构的片上电容的预估方法 |
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| 引用本文： | 何洋,马永旺,侯佳力,王小曼,胡毅,冯曦,唐晓柯.一种使用Capless LDO结构的片上电容的预估方法[J].电子技术应用,2019,45(2):23-26. |
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| 作者姓名： | 何洋 马永旺 侯佳力 王小曼 胡毅 冯曦 唐晓柯 |
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| 作者单位： | 北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室,北京,100192;北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京,100192 |
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| 摘 要： | 针对集成电路SOC芯片对PIN脚资源的限制以及用于敏感信息防护的安全芯片的应用领域,需要使用片上LDO和片上滤波电容的方案来为内核供电。由于LDO的低带宽导致带来相应速度问题,需要用片上滤波电容来提供数字电路瞬态翻转的能量,要使用纳法级的滤波电容占用极大的芯片面积,使得布局和LDO都在项目后期完成设计,导致芯片布局的迭代次数增加。深刻理解数字电路的工作原理和设计流程,提出了一种全新的设计流程和电容估算方法,在项目前期就完成片上电容的精确预估,从而可以早期进行LDO和芯片布局设计,减少了迭代周期,节省了芯片研发时间,并且通过仿真和测试,验证了提出了估算方法具有较好的预估精度。
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| 关 键 词： | 片上滤波电容 无片外电容LDO 布局 |
A method for on chip capacitor evalueted for capless LDO structure |
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