| 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构 |
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| 引用本文： | 翟光杰,杨建树,陈显邦,王学森. 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构[J]. 半导体学报, 2000, 21(4): 346-353 |
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| 作者姓名： | 翟光杰 杨建树 陈显邦 王学森 |
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| 作者单位： | 香港科技大学物理系!香港九龙清水湾 |
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| 基金项目： | 香港研究资助局资助项目;HKUST6127/97P; |
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| 摘 要： | 利用扫描隧道显微镜 ( STM)等分析手段 ,我们对 Si( 1 1 1 )在 NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究 .Si( 1 1 1 )在 1 0 75K暴露于 NH3后 ,表现所形成的氮化硅存在周期为 1 .0 2 nm的(“8/3× 8/3”)再构 ,当温度提高到 1 1 2 5K以上时 ,表面出现周期为 3.0 7nm的超结构 .这两种表面超结构都可以形成“8× 8”低能电子衍射花样 .系统的研究证明 3.0 7nm超结构是在 Si( 1 1 1 )表面形成晶态 β- Si3N4 薄膜 ( 0 0 0 1 )表面的 4× 4再构 ,而 1 .0 2 nm周期是 Si( 1 1 1 )表面未获得有效氮化的一种结构
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| 关 键 词： | 硅 氮化硅 表面结构 扫描隧道显微镜 低能电子衍射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-0346-08 |
| 修稿时间： | 1999-07-18 |
Surface Structures of Silicon Nitride Thin Films on Si (111) |
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| ZHAI Guang|jie,YANG Jian|shu,CUE Nelson and WANG Xue|sen. Surface Structures of Silicon Nitride Thin Films on Si (111)[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 346-353 |
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| Authors: | ZHAI Guang|jie YANG Jian|shu CUE Nelson WANG Xue|sen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon silicon nitride surface structure STM LEED |
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