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化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究
引用本文:肖卓炳,吴显明,王弘,王卓,尚淑霞,王民.化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究[J].化学世界,2001,42(6):283-285.
作者姓名:肖卓炳  吴显明  王弘  王卓  尚淑霞  王民
作者单位:1. 吉首大学生化学院
2. 山东大学
摘    要:报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为 6~ 9Ω·cm的 n型 Si( 1 0 0 )衬底上生长 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单 ,成本低 ,制备的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有较低的结晶温度 ,且薄膜均匀 ,致密 ,无裂纹。在 650°C下退火 30 min时得到的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性 ,薄膜的剩余极化 Pr=4.9μC/cm2 ,矫顽电场 Ec=87k V/cm

关 键 词:化学溶液沉积法  铁电薄膜  X射线衍射  钛酸铋  性质  铁电材料  绝缘性  铁电性

Preparation and Characterization of Bi4Ti3O12 Thin Films by Chemical Solution Deposition Technique
XIAO Zhuo bing ,WU Xian ming ,WANG Hong ,WANG Zhuo ,SHANG Shu xia ,WANG Min.Preparation and Characterization of Bi4Ti3O12 Thin Films by Chemical Solution Deposition Technique[J].Chemical World,2001,42(6):283-285.
Authors:XIAO Zhuo bing  WU Xian ming  WANG Hong  WANG Zhuo  SHANG Shu xia  WANG Min
Affiliation:XIAO Zhuo bing 1,WU Xian ming 1,WANG Hong 1,WANG Zhuo 2,SHANG Shu xia 2,WANG Min 2
Abstract:
Keywords:CSD  ferroelectric thin film  X    ray diffraction
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