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材料制备工艺
摘    要:Y2000-62422-108 0103751用于单栅极和双栅极 MOS 场效应晶体管的选择外延生长多层绝缘体上硅岛技术=Multi-layer SOI islandtechnology by selective epitaxial growth for single-gateand double-gate MOSFETs[会,英]/Pae,S.& Denton,

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