| 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析 |
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| 引用本文： | 于 杰,王 茺,杨 洲,陈效双,杨 宇. 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析[J]. 红外与毫米波学报, 2013, 32(4): 304-308 |
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| 作者姓名： | 于 杰 王 茺 杨 洲 陈效双 杨 宇 |
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| 作者单位： | 云南大学 光电信息材料研究所,云南大学 光电信息材料研究所,云南大学 光电信息材料研究所,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,云南大学 光电信息材料研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：10990103, 11274266），教育部科学研究重点项目（批准号：210207）和云南省自然基金重点项目（批准号：2008CC012） |
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| 摘 要： | 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大，SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
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| 关 键 词： | SGOI；p-MOSFET；Ge合金组分 |
| 收稿时间： | 2012-08-28 |
| 修稿时间： | 2013-04-01 |
Simulation analysis of electrical characteristics of strained SiGe channel-on-insulator p-MOSFET |
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| YU Jie,WANG Chong,YANG Zhou,CHEN Xiao-Shuang and YANG Yu. Simulation analysis of electrical characteristics of strained SiGe channel-on-insulator p-MOSFET[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2013, 32(4): 304-308 |
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| Authors: | YU Jie WANG Chong YANG Zhou CHEN Xiao-Shuang YANG Yu |
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| Affiliation: | Institute for Optoelectronic Information Materials,Yunnan University,Institute for Optoelectronic Information Materials,Yunnan University,Institute for Optoelectronic Information Materials,Yunnan University,National Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences and Institute for Optoelectronic Information Materials,Yunnan University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SGOI p-MOSFET Ge alloy mole fraction |
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