| 磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究 |
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| 引用本文： | 高立刚 陈刚 邓书康 陈亮 阚家德 俞帆 杨宇. 磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1097-1099 |
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| 作者姓名： | 高立刚 陈刚 邓书康 陈亮 阚家德 俞帆 杨宇 |
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| 作者单位： | 高立刚（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;陈刚（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;邓书康（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;陈亮（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;阚家德（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;俞帆（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091）;杨宇（云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091） |
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| 基金项目： | 云南省科技攻关项目(2001G06) |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
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| 关 键 词： | Ge薄膜 XRD Raman散射光谱 晶粒尺寸 声子限域理论 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1097-03 |
| 修稿时间： | 2004-05-03 |
Study on the crystallization characteristic of Ge thin films by magnetron sputtering |
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