磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究 |
| |
引用本文: | 高立刚 陈刚 邓书康 陈亮 阚家德 俞帆 杨宇. 磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1097-1099 |
| |
作者姓名: | 高立刚 陈刚 邓书康 陈亮 阚家德 俞帆 杨宇 |
| |
作者单位: | 高立刚(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);陈刚(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);邓书康(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);陈亮(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);阚家德(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);俞帆(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091);杨宇(云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091) |
| |
基金项目: | 云南省科技攻关项目(2001G06) |
| |
摘 要: | 采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
|
关 键 词: | Ge薄膜 XRD Raman散射光谱 晶粒尺寸 声子限域理论 |
文章编号: | 1001-9731(2004)增刊-1097-03 |
修稿时间: | 2004-05-03 |
Study on the crystallization characteristic of Ge thin films by magnetron sputtering |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
|
|