| 超深亚微米芯片互连线电感提取技术及应用 |
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| 引用本文： | 何剑春,陆思安,何乐年,葛海通,严晓浪.超深亚微米芯片互连线电感提取技术及应用[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2002,36(6):638-641. |
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| 作者姓名： | 何剑春 陆思安 何乐年 葛海通 严晓浪 |
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| 作者单位： | 何剑春（浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027）
陆思安（浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027）
何乐年（浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027）
葛海通（浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027）
严晓浪（浙江大学,超大规模集成电路设计研究所,浙江,杭州,310027） |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目(ZD0015). |
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| 摘 要： | 超深亚微米（VDSM）工艺下，集成电路的高频、高集成度趋势使互连线间电磁耦合作用不容忽略。首先回顾了典型电感提取方法及实际应用中电感阵稀疏化、模型降阶等问题；基于互连线分布RLC模型，对一类电源树的同步切换噪声问题作了分析；并分析了RL梯状电路、有效电容法等实用电感效应处理措施。一些仿真实例表明，未来高频集成电路中电感效应可严重影响部分关键互连线网性能，将成为信号完整性的重要制约因素。
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| 关 键 词： | 超深亚微米 电感提取 VLSI互连线 信号完整性 集成电路 制造工艺 芯片设计 |
| 文章编号： | 1008-973X(2002)06-0638-04 |
| 修稿时间： | 2001年10月18 |
Research on inductance extraction for on-chip interconnects in DSM designs |
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