| 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究 |
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| 引用本文： | 刘鹏,李伟,叶双莉,任天令,刘理天. 低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究[J]. 微纳电子技术, 2007, 44(7): 216-218 |
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| 作者姓名： | 刘鹏 李伟 叶双莉 任天令 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜，并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺，改变薄膜易磁化轴的方向，当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时，GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型，用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线，所得到的计算结果与实验结果一致。所以，自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。
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| 关 键 词： | 巨磁电阻传感器 自旋阀 矫顽力 退火 单畴模型 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0216-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-02 |
Study on GMR Magnetic Sensor with Low Coercivity and the Single Domain Model |
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| LIU Peng,LI Wei,YE Shuang-li,REN Tian-ling,LIU Li-tian. Study on GMR Magnetic Sensor with Low Coercivity and the Single Domain Model[J]. Micronanoelectronic Technology, 2007, 44(7): 216-218 |
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| Authors: | LIU Peng LI Wei YE Shuang-li REN Tian-ling LIU Li-tian |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, rsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GMR sensor spin valve coercivity annealing single domain model |
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