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改进溶胶-凝胶法制备PZT50/50铁电薄膜
引用本文:王根水,于剑,赖珍荃,孟祥建,孙璟兰,郭少令,褚君浩,李刚,路庆华.改进溶胶-凝胶法制备PZT50/50铁电薄膜[J].功能材料,2002(1).
作者姓名:王根水  于剑  赖珍荃  孟祥建  孙璟兰  郭少令  褚君浩  李刚  路庆华
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(69738020)
摘    要:采用改进的溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜,用X射线衍射表征了薄膜的物相,用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的微观形貌,用RT66A测量了薄膜的铁电特性,获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜,在20V电压下,Pr=31.83μC/cm2。

关 键 词:溶胶-凝胶法  前驱体  PZT50/50  铁电薄膜

PZT50/50 ferroelectric thin films derived by modified sol-gel process
WANG Gen-shui,YU Jian,LAI Zhen-quan,MENG Xiang-jian,SUN Jing-lan,GUO Shao-ling,CHU Jun-hao,LI Gang,LU Qing-hua.PZT50/50 ferroelectric thin films derived by modified sol-gel process[J].Journal of Functional Materials,2002(1).
Authors:WANG Gen-shui  YU Jian  LAI Zhen-quan  MENG Xiang-jian  SUN Jing-lan  GUO Shao-ling  CHU Jun-hao  LI Gang  LU Qing-hua
Abstract:
Keywords:sol-gel  process  precursor  PZT50/50  ferroelectric  thin  films  
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