| 大功率GaAs FET偏置电路设计中的有关问题 |
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| 引用本文： | 杨斐.大功率GaAs FET偏置电路设计中的有关问题[J].火控雷达技术,2006,35(3):71-74. |
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| 作者姓名： | 杨斐 |
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| 作者单位： | 西安电子工程研究所,西安,710100 |
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| 摘 要： | 现代雷达的发展方向是多功能化、小型化,固态发射机以工作寿命长、可靠性高、体积小等优点被广泛使用.本文主要总结了固态发射机设计中部分大功率GaAs FET偏置电路的设计经验.
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| 关 键 词： | 雷达 发射机 电路 GaAs FET |
| 文章编号： | 1008-8652(2006)03-071-003 |
| 修稿时间： | 2006年2月20日 |
Some Consideratios in Design of High-Power GaAs FET Bias Circuit |
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| Yang Fei.Some Consideratios in Design of High-Power GaAs FET Bias Circuit[J].Fire Control Radar Technology,2006,35(3):71-74. |
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| Authors: | Yang Fei |
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| Abstract: | Multi-function and miniaturization has become development trend of modern radar,and solid-state transmitter is widely used in this radar because of its advantages such as long lifetime,high reliability and small size.This paper aims to summarize experience in design of high power GaAs FET bias circuit used in solid-state transmitter. |
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| Keywords: | radar transmitter circuit GaAs FET |
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