| 碳热还原/氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析 |
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| 引用本文： | 万小涵,张广清,Oleg Ostrovski.碳热还原/氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析[J].云南冶金,2015,44(3):47-47, 73. |
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| 作者姓名： | 万小涵 张广清 Oleg Ostrovski |
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| 作者单位： | 1. 澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052
2. 澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院,澳大利亚卧龙岗2522 |
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| 摘 要： | 碳热还原/氮化合成氮化硅在Si O2∶C=1∶4.5(摩尔比)、1 425~1 475℃、氮气中添加10 vol%氢气气氛、气体流量1 L/min条件下进行。生成物各相通过XRD定性分析。实验结果及热力学分析表明二氧化硅-碳-氮气反应体系中,氮化硅和碳化硅在常用温度区间内的生成趋势差别小;碳化硅成核在较高温度趋势较强,但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微;氮化硅晶体生长反应为控制步骤。在碳热还原/氮化工艺中控制Si3N4和Si C生成的边界温度并不明显,碳化硅的生成不可避免。
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| 关 键 词： | 边界温度 生成趋势 控制步骤 |
| 收稿时间： | 2015/1/19 0:00:00 |
Analysis on Silicon Carbide Formation in the Process ofCarbothermal Reduction/Nitration Synthesis of Silicon Nitride |
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| WAN Xiaohan,ZHANG Guangqing and Oleg Ostrovski.Analysis on Silicon Carbide Formation in the Process ofCarbothermal Reduction/Nitration Synthesis of Silicon Nitride[J].Yunnan Metallurgy,2015,44(3):47-47, 73. |
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| Authors: | WAN Xiaohan ZHANG Guangqing and Oleg Ostrovski |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | boundary temperature formation potential controlling step |
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