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| 脉冲激光淀积法在Pt／TiO2／SiO2／Si（001）衬底上制备Pb（Ta0.05Zr0.45T … | |
| 引用本文： | 窦敖川,朱涛.脉冲激光淀积法在Pt／TiO2／SiO2／Si（001）衬底上制备Pb（Ta0.05Zr0.45T …[J].功能材料,1999,30(6):639-640. |
| 作者姓名： | 窦敖川 朱涛 |
| 作者单位： | [1]镇江师范大学专科学校物理系 [2]南京大学固体微结构物理固定重点实验室 |
| 摘 要： | 用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ（００１）衬底上制备了掺Ｔａ的ＰＺＴ薄膜，此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明ＰＺＴ薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。 |
| 关 键 词： | PTZT 薄膜 脉冲激光淀积 铁电性 漏电流 |
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