| 杂质离子对铜沉积微观结构的影响 |
| |
| 引用本文： | 鲁道荣,李学良,何建波,朱云贵. 杂质离子对铜沉积微观结构的影响[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2003, 35(10): 1205-1208 |
| |
| 作者姓名： | 鲁道荣 李学良 何建波 朱云贵 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学,化工学院,安徽,合肥,230009 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(29976009)，安徽省自然科学基金资助项目(98625248). |
| |
| 摘 要： | 为揭示杂质离子在铜电结晶过程中的行为,提高电解铜的质量,模拟电解铜厂的生产条件,用XPS、XRD、SEM等仪器研究了电解液中As5+、Sb3+、Bi3+、Fe2+、Fe3+、Ni2+、Zn2+等杂质离子对铜沉积微观结构的影响.结果表明:当电流密度i≤220A/m2时,杂质离子不在阴极沉积,但抑制其他晶面的生长,使铜结晶的(220)晶面织构系数明显增大,晶胞尺寸变大,电结晶形态由脊状变为脊状混块状;当i>220A/m2时,杂质中砷离子与铋离子在阴极有少量沉积,沉积层中砷以As和As2O3形式并存,铋以Bi2O3形式存在,铜结晶的颗粒变粗;当电流密度增至800A/m2时,杂质离子会使铜结晶的晶面择优取向从(220)变为(111).
|
| 关 键 词： | 杂质离子 铜沉积 微观结构 电结晶 晶面取向 品胞尺寸 结晶形态 |
| 文章编号： | 0367-6234(2003)10-1205-04 |
| 修稿时间： | 2003-02-15 |
Effect of impurity ions on microstructure of copper deposition |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | impurity ions copper deposition crystal orientation cell size crystal status |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
