| 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管 |
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| 引用本文： | 易里成荣,谢常青,王从舜,刘明,叶甜春.室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管[J].半导体学报,2005,26(10). |
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| 作者姓名： | 易里成荣 谢常青 王从舜 刘明 叶甜春 |
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| 摘 要： | 在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管.在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度.为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性,使用了独特形状的集电极,总的电流密度也因此提高.薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度.在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2.
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 峰谷电流比 峰电流密度 resonant tunneling diode peak-to-valley current ratio peak current density 室温 峰谷电流比 峰电流密度 双势垒共振隧穿二极管 Room Temperature Current Density Peak PVCR High room temperature devices maximum thin barriers improvement result total increased special shape |
A DBRTD with a High PVCR and a Peak Current Density at Room Temperature |
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| Yili Chengrong,Xie Changqing,Wang Congshun,Liu Ming,Ye Tianchun.A DBRTD with a High PVCR and a Peak Current Density at Room Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10). |
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| Authors: | Yili Chengrong Xie Changqing Wang Congshun Liu Ming Ye Tianchun |
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