| 氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 马全宝,叶志镇,何海平,朱丽萍,张银珠,赵炳辉.氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响[J].无机材料学报,2007,22(6):1113-1116. |
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| 作者姓名： | 马全宝 叶志镇 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学,材料系硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO（ZnO：Ga）透明导电薄膜，研究了氧分压对ZnO：Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响．X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构．ZnO：Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小，随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小，在氧分压为0．30Pa时沉积的ZnO：Ga薄膜半高宽最小，晶粒尺寸最大．薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大，沉积薄膜的最低电阻率可达3．50×10^-4Ω·cm．此外，所有ZnO：Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90％．
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| 关 键 词： | 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性 |
| 文章编号： | 1000-324X（2007）06-1113-04 |
| 收稿时间： | 2006-12-13 |
| 修稿时间： | 2006-12-13 |
Effects of Oxygen Partial Pressure on the Properties of Transparent Conductive ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| MA Quan-Bao,YE Zhi-Zhen,HE Hai-Ping,ZHU Li-Ping,ZHANG Yin-Zhu,ZHAO Bing-Hui.Effects of Oxygen Partial Pressure on the Properties of Transparent Conductive ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering[J].Journal of Inorganic Materials,2007,22(6):1113-1116. |
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| Authors: | MA Quan-Bao YE Zhi-Zhen HE Hai-Ping ZHU Li-Ping ZHANG Yin-Zhu ZHAO Bing-Hui |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027 China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO:Ga |
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