| 反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究 |
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| 引用本文： | 马春雨,李智,张庆瑜. 反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究[J]. 无机材料学报, 2007, 22(6): 1206-1210. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.01206 |
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| 作者姓名： | 马春雨 李智 张庆瑜 |
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| 作者单位： | 1. 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连,116023
2. 大连大学,机械工程学院,大连,116622 |
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| 摘 要： | 采用反应射频磁控溅射在Si（100）基片上制备了不同微结构的铝掺杂氧化锆薄膜．利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了退火温度对铝掺杂氧化锆薄膜热学稳定性、界面稳定性和表面粗糙度的影响，探讨了铝掺杂氧化锆薄膜的，I-V特性与薄膜的微观状态之间的关系．研究结果显示：在铝掺杂氧化锆薄膜中掺入不同量的Al对薄膜的微结构有较大影响，随着薄膜中Al／Zr原子含量比的增大，薄膜微结构经历从α—ZrO2（未掺杂）到t-（Zr，Al）O2相和c-（Zr，Al）O2相（Al／Zr=1／4）再到a-（Zr，Al）O2（Al／Zr=4／5）的变化；与纯ZrO2薄膜相比，Al掺杂氧化锆（Al／Zr=4／5）薄膜的结晶化温度明显提高，薄膜热学稳定性得到改善．
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| 关 键 词： | 薄膜物理学 铝掺杂氧化锆薄膜 磁控溅射 热稳定性 |
| 文章编号： | 1000-324X（2007）06-1206-05 |
| 收稿时间： | 2006-12-19 |
| 修稿时间： | 2006-12-19 |
Thermal Stability of Al-doped ZrO2 Films Prepared by Reactive RF Magnetron Sputtering |
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| MA Chun-Yu,LI Zhi,ZHANG Qing-Yu. Thermal Stability of Al-doped ZrO2 Films Prepared by Reactive RF Magnetron Sputtering[J]. Journal of Inorganic Materials, 2007, 22(6): 1206-1210. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.01206 |
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| Authors: | MA Chun-Yu LI Zhi ZHANG Qing-Yu |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beam, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China; 2. Department of Mechanical Engineering, Dalian University, Dalian 116622, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film physics Al-doped ZrO2 thin film magnetron sputtering thermal stability |
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