| HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变 |
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| 引用本文： | 杨洪东,于奇,王向展,李竞春,罗谦,姬洪. HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变[J]. 材料导报, 2010, 24(8) |
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| 作者姓名： | 杨洪东 于奇 王向展 李竞春 罗谦 姬洪 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.
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| 关 键 词： | 氮化硅 应变测量 高分辨X射线衍射 应变硅 |
Study On Strain of Si Induced by SiN Cap Using HRXRD |
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| YANG Hongdong,YU Qi,WANG Xiangzhan,LI Jingchun,LUO Qian,JI Hong. Study On Strain of Si Induced by SiN Cap Using HRXRD[J]. Materials Review, 2010, 24(8) |
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| Authors: | YANG Hongdong YU Qi WANG Xiangzhan LI Jingchun LUO Qian JI Hong |
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| Affiliation: | YANG Hongdong,YU Qi,WANG Xiangzhan,LI Jingchun,LUO Qian,JI Hong(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054) |
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| Abstract: | To analyze the mechanism of strain in Si induced by SiN and control strain,the relation of the strain in Si with thickness of SiN cap is studied using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The results show that the strain degree is a linear relationship with the cap layer thickness less than 300nm,and then increases slowly,reaches a saturation value at the 450nm thickness. Meanwhile,the strain shows obviously anisotropy at different directions. The diffraction peak of strained-Si does not separate from... |
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| Keywords: | SiN strain measurement high resolution X-ray diffraction strained-Si |
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