AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究 |
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引用本文: | 于毅,赵宏锦,任天令,刘理天. AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究[J]. 仪器仪表学报, 2003, 24(Z2): 239-240 |
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作者姓名: | 于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 |
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作者单位: | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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摘 要: | 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础.
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关 键 词: | 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 刻 蚀 |
Study of Fabrication and Etching Processes of AlN Thin Films |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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