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| VLSI设计中互连耦合噪声的估计 | |
| 作者姓名： | 董刚杨银堂 李跃进柴常春 |
| 作者单位： | (西安电子科技大学 微电子研究所,陕西 西安 710071) |
| 基金项目： | 国家部委预研资助项目(41323020204) |
| 摘 要： | 随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI设计的关键因素之一．采用耦合互连的L模型,基于主极点近似的方法给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素．与已有的方法相比,模型得到了简化,而精度并未损失,它可以广泛应用于考虑耦合效应的版图优化． |
| 关 键 词： | 互连耦合噪声 主极点近似 灵敏度 |
| 文章编号： | 1001-2400(2005)02-0276-04 |
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