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VLSI设计中互连耦合噪声的估计
引用本文:董刚 杨银堂 李跃进 柴常春. VLSI设计中互连耦合噪声的估计[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2005, 32(2): 276-279
作者姓名:董刚 杨银堂 李跃进 柴常春
作者单位:(西安电子科技大学 微电子研究所,陕西 西安 710071)
基金项目:国家部委预研资助项目(41323020204)
摘    要:随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI设计的关键因素之一.采用耦合互连的L模型,基于主极点近似的方法给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素.与已有的方法相比,模型得到了简化,而精度并未损失,它可以广泛应用于考虑耦合效应的版图优化.

关 键 词:互连耦合噪声  主极点近似  灵敏度  
文章编号:1001-2400(2005)02-0276-04

Estimation of coupling noise in VLSI design
DONG Gang,YANG Yin-tang,LI Yue-jin,CHAI Chang-chun. Estimation of coupling noise in VLSI design[J]. Journal of Xidian University, 2005, 32(2): 276-279
Authors:DONG Gang  YANG Yin-tang  LI Yue-jin  CHAI Chang-chun
Affiliation:(Research Inst. of Microelectronics, Xidian Univ., Xi'an 710071, China)
Abstract:The coupling effect induced by capacitance has become a key factor in VLSI design, as taller and narrower wires are now placed closer to each other. In this paper, we apply the L model for coupling interconnects and present an analytical expression for coupling noise based on dominant-pole approximation. The factors affecting peak noise are discussed. Compared with the methods available, the model is simplified without lowering accuracy. It can be used in noise-aware layout optimization.
Keywords:interconnect coupling noise  dominant-pole approximation  sensitivity  
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