| 非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据 |
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| 引用本文： | 徐士杰,江德生,李国华,张耀辉,罗晋生.非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据[J].半导体学报,1993,14(6):390-394. |
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| 作者姓名： | 徐士杰 江德生 李国华 张耀辉 罗晋生 |
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| 作者单位： | 半导体超晶格国家重点实验室，半导体超晶格国家重点实验室，半导体超晶格国家重点实验室，半导体超晶格国家重点实验室，西安交通大学电子工程系 中国科学院半导体研究所，北京 100083 西安交通大学电子工程系，西安 710049，中国科学院半导体研究所，北京 100083，中国科学院半导体研究所，北京 100083，中国科学院半导体研究所，北京 100083，西安 710049 |
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| 摘 要： | 用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
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| 关 键 词： | 半导体材料 载流子 异质结构 |
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