|
|||||
|
|
| GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化 | |
| 引用本文： | 刘运宏,王荣,孙旭芳,杨靖波,段立颖.GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化[J].核技术,2006,29(4):268-270. |
| 作者姓名： | 刘运宏 王荣 孙旭芳 杨靖波 段立颖 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875;北京市辐射中心,北京,100875 3. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 |
| 基金项目： | 北京市优秀人才培养基金 , 北京市自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109-2×1013cm-2的辐照,通过电池Ⅰ-Ⅴ特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应.结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大.经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400-1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900-1000 nm)的量子阱特性消失.量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降. |
| 关 键 词： | GaAs 太阳电池 量子阱 质子辐照 |
| 收稿时间： | 08 31 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-08-312005-11-02 |
Change in radiation tolerance of GaAs solar cells due to the MQW structure |
|
| LIU Yunhong,WANG Rong,SUN Xufang,YANG Jingbo,DUAN Liying.Change in radiation tolerance of GaAs solar cells due to the MQW structure[J].Nuclear Techniques,2006,29(4):268-270. | |
| Authors: | LIU Yunhong WANG Rong SUN Xufang YANG Jingbo DUAN Liying |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs Solar cells MQW Proton irradiation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |